三星电子考虑在美国新建的芯片工厂，已决定建在得克萨斯州的奥斯汀，建设的还将是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂。

同此前韩国媒体在报道中提到的一样，三星电子决定在得克萨斯州建设的这一座工厂，将在今年三季度动工，2024 年投入运营。

在新建工厂的投资方面，外媒称三星电子计划投资 20 万亿韩元，也就是约 180 亿美元，同此前提及的 170 亿美元略有增加。

虽然三星电子在奥斯汀新建工厂的计划还未宣布，但外媒在报道中表示，他们已在为建厂做准备，已经向奥斯汀派出了负责建厂及公共设施的人员。

在此前的报道中，外媒也曾提到，三星电子在美国新建的芯片工厂，在建成之后将采用 5nm 工艺为相关的客户代工芯片，最新报道的是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂，基本也就印证了之前的报道，极紫外光刻机正式目前 5nm 制程工艺所需要的。

三星电子将在美国建设的芯片工厂，若真是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂，就将是他们首次在韩国之外建设 EUV 半导体工厂，同时也是他们首次在韩国之外建设 5nm 制程工艺芯片代工厂。

三星电子目前在奥斯汀也有一座芯片代工厂，当前主要是采用 14nm 制程工艺为相关的客户代工芯片。

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