5月18日，青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”正式封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，今年内完成设备的安装与调试。

Source：赛微电子

据了解，项目由潍坊市青州市与北京赛微电子股份有限公司（以下简称“赛微电子”）合作投建，总投资10亿元，规划最终形成总体产能60,000片/年，一期产能30,000片/年。

其中，聚能国际一期产能建设投资5亿元，总规划占地面积40亩，建筑总面积约为1.3万平方米，其中生产净化车间建筑面积约为1万平方米。

赛微电子于2018年7月投资设立聚能创芯，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发。

2018年6月，投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产。

作为公司GaN业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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关键词： 总投资10亿 这个硅基氮化镓功率器件项目成功封顶