中国科学院院士、中科院物理研究所 / 北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等，利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性，无须修改商用的器件结构，首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件，实现了其纳秒级(~20 ns)的读写时间(商用闪存器件为百微秒)、极高的擦除 / 写入比(~1010)和极长的存储时间(10 年以上)。

据介绍，基于原子级锐利界面的范德瓦尔斯异质结超快浮栅存储器具有和动态随机存取存储器(10 ns)相当的编程速度，同时具备非易失、大容量的存储特性。对于发展未来高性能非易失存储器具有重要意义，也为进一步开发基于范德瓦尔斯异质结构的高性能电子器件提供了一种创新思路。未来在应用上的挑战主要是高质量、大面积 hBN 和二维原子晶体沟道材料的外延生长及其集成器件的构筑。

相关研究成果以Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed, nonvolatile memory device为题，在线发表在Nature Nanotechnology上。

关键词： 中科院 物理所 纳秒 存储